| Marke | Ixys Corporation |
| Produkt | VUO105-12NO7 |
| Beschreibung | Brücken-Diode |
| Interner Code | IMP3281759 |
| Gewicht | 0.225 |
| Benutzerdefinierter Code | 8504409090 |
Bitte kontaktieren Sie uns, um Preis und Lieferzeit für Ixys Corporation - VUO105-12NO7 Brücken-Diode zu erhalten. Wir können Sie auch für andere Modelnummern beraten. Wir versuchen auf den deutschen Industriemarkt den besten Preis und Lieferzeit für Sie in Erfahrung zu bringen.
Wir vertreiben nur neue und originale Produkte.
Unser Unternehmen ist kein autorisierter Händler. Alle Rechte liegen bei den Herstellern und ihren offiziellen Partnern.
DIODE
Rectifiers 1200V 11A
DIODE
diode
Schottky-Diode
diode
ID NO 765040 V1...V3 80 A/1200 V
thyristor module
MOQ=20
Einzel Kippdiode
Breakover-Diode
MOQ=20
1090066 IXBOD1-14R BREAKOVER DIODE, 1400V MOQ=20
(MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B IXYS)
GigaMOSTM Power MOSFET
Diskretes Halbleitermodul
Transistor
V1 (Thyristor-Modulsatz 400A/600V)
Thyristor-Modul
Thyristor-Modul
Diskrete Halbleitermodule 255 Amps 1400V
MOD THYRISTOR DUAL 1600V Y1-CU IXYS COUNTRY OF ORIGIN: GERMANY
